《MSE Research Seminar》冯哲川 教授：铁电和宽禁带半导体氧化物及相关先进材料的多重学科探索与研究

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• 题目: 铁电和宽禁带半导体氧化物及相关先进材料的多重学科探索与研究
• 主讲人：冯哲川 教授 @ Kennesaw State University / 国际光学与光子工程学会 会士
• 时间：2026年5月22日 16:00-17:30
• 地点：工学院北楼506会议室

主讲人简介

广西大学物理科学与工程技术学院前杰出教授 (2015.3-2020.12)，台湾大学光电所暨电机系(2003.8-15.1)退休教授，获得学士/硕士(1968/1981,北京大学)、博士(1987,匹兹堡大学-美国), 1988-2003工作于Emory大学(美),新加坡国立大学, EMCORE公司,材料工程研究院(新加坡),乔治亚理工学院。2021年在美国亚特兰大家中建立 Science Exploring Lab(科学探索实验室), 2022年起加入Kennesaw State University电机与计算机工程系担任兼职(adjunct/part-time)教授进行教学和研究并指导研究生/大学生至今。已出版半导体和氧化物领域的14本专著，编辑12本及写作2本书《新兴半导体和氧化物的拉曼散射》（2024年出版）及《先进半导体与量子结构的光致发光光谱学》（2026年出版）；已发表约900篇学术论文(超500多篇 scholar.google 收录)并被引用9,400多次。从事于化合物和宽能隙半导体研究40多年,有较多杰出成果。2013年，荣膺 SPIE （国 际 光 学 与 光 子 工 程 学 会）Fellow(会士)至今。此外，受邀担任华中科技大学、南开大学、四川大学、南京工业大学、华南师范大学、天津师范大学的访问客座教授。

讲座简介

铁电氧化物材料被视为高性能压电/热电及光电材料,具有高居里温度,大极化强度和高机电耦合系数,应用于多领域。跟进科技研究及产业发展,我们对SiC,GaN,ZnO宽带隙半导体,超宽禁带半导体氮化铝(AlN)和氧化镓(GaO)基材料等,努力探索研究。我们对铁电氧化物,如钛酸铅PbTiO3(PT), Pb1-xLaxTiO3(PLT), PbZrxTi1-xO3(PZT), SnO2, HfO2, BiFeO3(BFO) 等和宽禁带半导体氧化物 ZnO, ZnMgO, ZnCr2O4 及 氧化 镓 基 b-Ga2O3, Fe-/Ta-/Nb/Si-/Mg-掺杂b-Ga2O3, ZnGa2O4 晶体与外延薄膜,应用多学科表征技术(X射线衍射,椭圆偏振光谱,透射光谱,常温/变温拉曼散射光谱,光致荧光发光谱,X射线光电子能谱及同步辐射X射线吸收光谱等)综合分析研究各种铁电和半导体氧化物掺杂合金与外延薄膜,探索其结构、光学和表面性质,取得了许多有意义的成果。本报告着重介绍拉曼及椭偏光谱分析及其变温研究,例如借助差分拉曼光谱技术检测出沉浸于基底信号中的薄膜PbTiO3 拉曼光谱,应用拉曼光谱学和相关跨学科学研究PT-PLT-PZT薄膜材料特殊变化。应用拉曼/椭偏光谱学和多学科学研究HfO2和BFO薄膜材料特性,β-Ga2O3晶体中的Si /Mg掺杂效应,及对ZnGa2O4椭圆偏振光谱研究,揭示缺陷相关的乌尔巴赫能量和材料特性。对温度相关的定量分析,预测其高温热光效应,为进一步改善其材料和优化高温/高功率光电器件设计提供参考。

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